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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 22/Feb/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 14 mOhm @ 58A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 2mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 240nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4540pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 包装材料 | Tube |
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